[发明专利]TEM样品的制备方法在审
| 申请号： | 202110593171.X | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113189370A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 陈柳;史燕萍;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
1.一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括：
提供一晶圆，所述晶圆上形成有低密度的层间电介质层；
截取所述晶圆，获得待测样品；
在所述待测样品上形成保护膜，以对所述待测样品产生初步的完整性保护；
在所述待测样品的目标区域覆盖胶类材料，并对其进行固化工艺，以进一步保护所述待测样品的形貌；
在聚焦离子束内进行待测样品减薄，以形成TEM样品。
2.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述固化工艺的温度为50℃-80℃。
3.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护膜包括金属膜和氧化膜。
4.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述形成保护膜的工艺为原子层沉积工艺。
5.如权利要求4所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺的温度为50℃-150℃。
6.如权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述金属膜为氧化铪。
7.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述保护膜为的厚度为1nm-10nm。
8.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述胶类材料为有机胶。
9.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，在聚焦离子束内进行待测样品减薄步骤之前，还包括：
进行激光标记定位。
10.如权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，在截取所述晶圆后，采用氮气枪对所述待测样品表面吹扫，以确保所述待测样品表面清洁。
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