[发明专利]片内晶振校准电路及校准方法在审
| 申请号： | 202110586248.0 | 申请日： | 2021-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113489486A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 孙向向;江国范 | 申请（专利权）人： | 青芯半导体科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/06 | 分类号： | H03L7/06 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区自由贸易试验*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种片内晶振校准电路及校准方法，包括：时钟比较模块，被配置为比较待校准时钟和参考时钟，以得到比较结果并向状态控制模块提供比较结果；状态控制模块，被配置为根据比较结果通过逐次逼近算法生成步长控制信号，以向步长控制模块提供步长控制信号；步长控制模块，被配置为根据步长控制信号生成校准信号，以向待校准晶振提供校准信号。 | ||
| 搜索关键词： | 片内晶振 校准 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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