[发明专利]一种轻掺杂n型硅片背面金属化结构及其制造工艺在审
| 申请号： | 202110569092.5 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN113299621A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高瑞峰;周骏贵 | 申请（专利权）人： | 南京市产品质量监督检验院 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210019 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件和集成电路工艺技术领域，具体涉及硅器件背面金属化结构和工艺。所述结构在背面衬底轻掺杂n型硅片的表面至少沉积有第一金属层铪，然后沉积其他层。所述工艺包括正面保护、背面减薄、背面抛光、清洗、物理气相沉积等工艺步骤。本发明利用铪与硅形成欧姆接触的特点，在轻掺杂n型硅片的背面制备一层铪，具有低成本优势和更低的接触电阻、更好的粘附性、良好的导电性、导热性和合适的热膨胀系数，有效提高硅器件制造过程中的良率和使用中的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 硅片 背面 金属化 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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