[发明专利]一种轻掺杂n型硅片背面金属化结构及其制造工艺在审
| 申请号： | 202110569092.5 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN113299621A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高瑞峰;周骏贵 | 申请（专利权）人： | 南京市产品质量监督检验院 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210019 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 硅片 背面 金属化 结构 及其 制造 工艺 | ||
1.一种轻掺杂n型硅片背面金属化结构，其特征在于：所述结构在背面衬底硅片的表面按距离硅片由近及远顺序依次至少沉积有第一金属层，第一金属层的材质是铪。
2.按照权利要求1所述的一种轻掺杂n型硅片背面金属化结构，其特征在于：所述结构在背面衬底硅片的表面按距离硅片由近及远顺序依次沉积有第一金属层、第二金属层，第二金属层的材质是金或金锗合金中的任一种。
3.按照权利要求1所述的一种轻掺杂n型硅片背面金属化结构，其特征在于：所述结构在背面衬底硅片的表面按距离硅片由近及远顺序依次沉积有第一金属层、第二金属层、第三金属层，第三金属层的材质是金、金锗合金、金锡合金中的任一种。
4.按照权利要求1所述的一种轻掺杂n型硅片背面金属化结构，其特征在于：第一金属层的厚度为30nm～300nm。
5.按照权利要求2所述的一种轻掺杂n型硅片背面金属化结构，其特征在于：金用作第二金属层的厚度为500nm～2000nm，金锗合金用作第二金属层的厚度为100nm～500nm。
6.按照权利要求3所述的一种轻掺杂n型硅片背面金属化结构，其特征在于：金用作第三金属层的厚度为100nm～1500nm，金锗合金或金锡合金用作第三金属层的厚度为300nm～1500nm。
7.一种制备如权利要求1所述的硅片背面金属化结构的工艺，其特征在于：第一金属层采用磁控溅射或电子束蒸发制备，其中磁控溅射的速率为5nm/s～15nm/s，电子束蒸发的速率为0.5nm/s～3nm/s。
8.一种制备如权利要求2或3所述的硅片背面金属化结构的工艺，其特征在于：第二金属层、第三金属层采用蒸发或磁控溅射制备，蒸发的速率为0.5nm/s～3nm/s，磁控溅射的速率为5nm/s～15nm/s。
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