[发明专利]一种三柵结构半浮柵晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 202110568403.6 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113394103A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚;刘珩;孟晓莹;冷江华;关天鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三柵结构半浮柵晶体管的制作方法，涉及半导体集成电路制造技术，该方法包括衬底以及在衬底上有源区中形成N型参杂深阱以及U形槽；在U形槽中形成第一柵极结构；第一栅极与有源区形成接触口；在包含第一栅极的衬底上先后沉积柵氧化层介质和多晶硅以及硬掩模材质，通过光刻工艺将三柵结构中的第二栅极和第三栅极之间的隔离区曝光并显影开；通过干法刻蚀将光刻定义的图形三柵结构中的第二栅极和第三栅极定义出来；在刻蚀开的第二和第三栅极见沉积介质层，将三柵结构中的第二栅极和第三栅极隔离开来，如此成功将三柵结构中的第二栅极和第三栅极同时制作出来。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 半浮柵 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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