[发明专利]半导体存储装置及其读取方法在审
| 申请号： | 202110562897.7 | 申请日： | 2021-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN113744785A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 妹尾真言 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 董骁毅;叶明川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置及其读取方法，其中所述半导体存储装置可以通过电容耦合补偿存储单元的阈值，其包含：NAND型的存储单元阵列，由监视用NAND串列形成；编程装置，编程与选择字线连接的存储单元；以及读取装置，进行与选择字线连接的存储单元的读取。编程装置编程选择字线时，编程监视用NAND串列的存储单元。读取装置包含：电流检测部，读取选择字线n的存储单元时，于非选择字线n+1的存储单元施加读取电压，检测流经监视用NAND串列的电流；以及偏移电压决定部，根据检测到的电流决定第一偏移电压以及第二偏移电压。附加第一偏移电压的读取通过电压施加于非选择字线，附加第二偏移电压的读取电压施加于选择字线n。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
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