[发明专利]半导体存储装置及其读取方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的读取方法，其特征在于，包含：

第1步骤，针对NAND型存储单元阵列的各区块，准备至少一个监视用NAND串列；

第2步骤，编程选择字线的存储单元时，编程所述监视用NAND串列的存储单元；

第3步骤，读取选择字线n的存储单元时，检测所述监视用NAND串列的非选择字线n+1的存储单元是否被编程；

第4步骤，根据第3步骤的检测结果，决定各自附加于读取通过电压以及读取电压的第一偏移电压以及第二偏移电压；以及

第5步骤，将附加所述第一偏移电压的读取通过电压施加于非选择字线，将附加所述第二偏移电压的读取电压施加于选择字线n。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置的读取方法，其特征在于，所述第3步骤包括：

于非选择字线n+1施加读取电压，于选择字线n以及其他非选择字线施加读取通过电压，检测所述监视用NAND串列的存储单元是否被编程。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置的读取方法，其特征在于，所述第3步骤通过流经所述监视用NAND串列的电流检测存储单元是否被编程。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置的读取方法，其特征在于，所述第3步骤通过与所述监视用NAND串列连接的位线的电位检测存储单元是否被编程。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置的读取方法，其特征在于，所述第2步骤根据选择字线的被编程存储单元的数量，编程所述监视用NAND串列的存储单元。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置的读取方法，其特征在于，所述第2步骤在选择字线的被编程存储单元过半数时，编程所述监视用NAND串列的存储单元。

7.根据权利要求1或4所述的半导体存储装置的读取方法，其特征在于，所述第3步骤于位线的预充电期间被实施。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置的读取方法，其特征在于，所述监视用NAND串列，在没有经由使用者使用的存储单元阵列的区域，或者无法经由使用者存取的存储单元阵列的区域中被准备。

9.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

NAND型存储单元阵列，包含多个区块，各区块中形成至少一个监视用NAND串列；

编程装置，编程与选择字线连接的存储单元；

读取装置，进行与选择字线连接的存储单元的读取；

所述编程装置，在编程选择字线的存储单元时，编程所述监视用NAND串列的存储单元；

所述读取装置，在读取选择字线n的存储单元时，检测所述监视用NAND串列的非选择字线n+1的存储单元是否被编程，根据检测结果决定各自附加于读取通过电压以及读取电压的第一偏移电压以及第二偏移电压，将附加所述第一偏移电压的读取通过电压施加于非选择字线，将附加所述第二偏移电压的读取电压施加于选择字线n。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述编程装置根据选择字线的被编程存储单元的数量，编程所述监视用NAND串列的存储单元。

11.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述读取装置于非选择字线n+1施加读取电压，于选择字线n以及其他非选择字线施加读取通过电压，检测所述监视用NAND串列的存储单元是否被编程。

12.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述读取装置包含页缓冲/感应电路，所述页缓冲/感应电路，通过流经所述监视用NAND串列的电流，检测存储单元是否被编程，或者，所述页缓冲/感应电路，通过与所述监视用NAND串列连接的位线的电位，检测存储单元是否被编程。

13.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述读取装置，于位线的预充电期间检测所述监视用NAND串列的非选择字线n+1的存储单元是否被编程。