[发明专利]一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路

摘要

本发明属于电源管理技术领域，具体是涉及一种适用于GaN半桥栅驱动系统的死区时间控制电路。本发明的方案，通过死区模式选择控制电压产生电路根据不同的外部编程电阻产生不同的VDT电压，在分段死区时间产生电路中与不同的ref电压进行比较选择不同的延时链输出，并将其延时与输入HI和LI信号进行耦合，最终输出包含死区信息的HI_OUT和LI_OUT信号。本发明的电路可通过调整外部编程电阻的大小自适应的调整内部半桥系统的死区时间。