[发明专利]一种非接触式n型4H-碳化硅晶圆电阻率测量方法在审
| 申请号： | 202110561309.8 | 申请日： | 2021-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN113295671A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘贵鹏;茆邦耀;汤金金;吕秀睿;邢树安;黄河源;赵桂娟 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;G01R27/02 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人： | 张晋 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于微区拉曼系统的非接触式n型4H‑SiC晶圆电阻率测量方法。通过微区拉曼光谱测试系统测得晶圆中不同位置的LO声子和等离子体耦合峰(LOPC)，通过拟合得到LOPC峰峰位和半高宽。将峰位和半高宽输入到电阻率分析程序，得到不同位置处电阻率数值。分析程序将电子浓度和电子迁移率分成网格格点，计算每一个网格点对应的LOPC峰位值、半高宽和电阻率值，建立LOPC峰位值、半高宽和电阻率值对应的网表。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 碳化硅 电阻率 测量方法 | ||
【主权项】：
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