[发明专利]基于隐埋AlTiO3有效

专利信息
申请号: 202110558469.7 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113517355B 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 王小周;李京波;赵艳 申请(专利权)人: 浙江芯科半导体有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 李园园
地址: 311400 浙江省杭州市富*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种基于隐埋AlTiO3终端结构的4H‑SiC肖特基二极管,包括:自下而上依次层叠设置的欧姆接触电极、N型SiC衬底层、N型SiC外延层和肖特基接触电极,其中,N型SiC外延层内设置有若干隐埋终端保护区,隐埋终端保护区为封闭环结构并依次绕设于肖特基接触电极的外围,若干隐埋终端保护区自上而下呈阶梯状设置,且其与N型SiC外延层两侧面之间的间距自上而下依次减小。本发明的肖特基二极管,设置有若干隐埋终端保护区,该隐埋终端保护区可以将器件表面的电场集中逐步引入到器件内,避免了器件提前击穿现象,提高器件的可靠性,提高了器件在正常的静态特性下的反向耐压能力,器件制备过程中对表面钝化层工艺的要求降低,从而降低器件整体的制备难度。
搜索关键词: 基于 altio base sub
【主权项】:
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