[发明专利]基于隐埋AlTiO3

权利要求书

1.一种基于隐埋AlTiO₃终端结构的4H-SiC肖特基二极管，其特征在于，包括：自下而上依次层叠设置的欧姆接触电极(1)、N型SiC衬底层(2)、N型SiC外延层(3)和肖特基接触电极(4)，其中，

所述N型SiC外延层(3)内设置有若干隐埋终端保护区(5)，所述隐埋终端保护区(5)为封闭环结构并依次绕设于所述肖特基接触电极(4)的外围，若干所述隐埋终端保护区(5)自上而下呈阶梯状设置，且其与所述N型SiC外延层(3)两侧面之间的间距自上而下依次减小；

所述隐埋终端保护区(5)的材料为AlTiO₃。

2.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO₃终端结构的4H-SiC肖特基二极管，其特征在于，顶层所述隐埋终端保护区(5)的上表面与所述N型SiC外延层(3)上表面的间距小于等于0.5μm。

3.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO₃终端结构的4H-SiC肖特基二极管，其特征在于，若干所述隐埋终端保护区(5)之间的间距，自上而下呈增大趋势。

4.根据权利要求3所述的基于隐埋AlTiO₃终端结构的4H-SiC肖特基二极管，其特征在于，若干所述隐埋终端保护区(5)之间的间距，自上而下以0.1μm的步长递增。

5.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO₃终端结构的4H-SiC肖特基二极管，其特征在于，所述N型SiC外延层(3)内间隔设置有若干P型离子注入区(6)，若干所述P型离子注入区(6)位于所述肖特基接触电极(4)的下方，且若干所述P型离子注入区(6)的上表面与所述肖特基接触电极(4)接触。

6.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO₃终端结构的4H-SiC肖特基二极管，其特征在于，还包括钝化层(7)，所述钝化层(7)设置所述N型SiC外延层(3)上未被所述肖特基接触电极(4)覆盖的区域。

7.根据权利要求6所述的基于隐埋AlTiO₃终端结构的4H-SiC肖特基二极管，其特征在于，还包括保护层(8)，所述保护层(8)设置在所述钝化层(7)上。

8.一种基于隐埋AlTiO₃终端结构的4H-SiC肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：

S1：在4H-SiC衬底上形成第一4H-SiC外延层；

S2：利用等离子体干法刻蚀对所述第一4H-SiC外延层刻蚀，形成4H-SiC沟槽区；

S3：利用化学气相淀积技术在所述4H-SiC沟槽区内，淀积形成一个隐埋终端保护区；

S4：利用化学气相淀积技术在器件表面，淀积形成第二4H-SiC外延层；

S5：重复所述S2-S4，形成若干隐埋终端保护区；

S6：利用离子注入，在4H-SiC外延层内形成P型离子注入区；

S7：在所述4H-SiC外延层表面通过化学气相淀积，形成钝化层；

S8：刻蚀部分所述钝化层直到漏出所述4H-SiC外延层，在漏出的所述4H-SiC外延层上制备肖特基接触电极；

S9：在所述4H-SiC衬底的底面制备欧姆接触电极；

S10：在所述钝化层上制备形成保护层；

其中，所述隐埋终端保护区为封闭环结构并依次绕设于所述肖特基接触电极的外围，若干所述隐埋终端保护区自上而下呈阶梯状设置，且其与所述4H-SiC外延层两侧面之间的间距自上而下依次减小，所述隐埋终端保护区的材料为AlTiO₃。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，顶层所述隐埋终端保护区的上表面与所述4H-SiC外延层上表面的间距小于等于0.5μm，若干所述隐埋终端保护区之间的间距，自上而下呈增大趋势。