[发明专利]一种高ESD的SBD二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110555611.2 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299631B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 刘官超;刘峻成 | 申请（专利权）人： | 深圳市联冀电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市浩东律师事务所 11499 | 代理人： | 张乐中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道桃源*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高ESD的SBD二极管及其制备方法，包括正面金属场板，所述正面金属场板的底部靠近两侧位置均设置有场氧化层，所述场氧化层的内侧形成有肖特基结，且场氧化层的下方依次设置有一号PN结、二号PN结和三号PN结，所述一号PN结、二号PN结和三号PN结的环间距依次增加，所述一号PN结的环间距为3‑10um，所述二号PN结的环间距为5‑12um，所述三号PN结的环间距为8‑15um，所述一号PN结、二号PN结和三号PN结的上部均通过场氧化层覆盖有正面金属场板。本发明所述的一种高ESD的SBD二极管及其制备方法，将常规SBD产品上的单个分压环一分为三，将脉冲的电流能量能分为三分，使终端分压环不会因为热失效而失效损毁，增加了动态反向浪涌及静电冲击能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd sbd 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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