[发明专利]一种高ESD的SBD二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110555611.2 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299631B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 刘官超;刘峻成 | 申请（专利权）人： | 深圳市联冀电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市浩东律师事务所 11499 | 代理人： | 张乐中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道桃源*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 esd sbd 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种高ESD的SBD二极管，其特征在于：包括正面金属场板(1)，所述正面金属场板(1)的底部靠近两侧位置均设置有场氧化层(2)，所述场氧化层(2)的内侧形成有肖特基结(3)，且场氧化层(2)的下方依次设置有一号PN结(4)、二号PN结(5)和三号PN结(6)；
所述一号PN结(4)、二号PN结(5)和三号PN结(6)的环间距依次增加，所述一号PN结(4)的环间距为3-10um，所述二号PN结(5)的环间距为5-12um，所述三号PN结(6)的环间距为8-15um；
所述一号PN结(4)、二号PN结(5)和三号PN结(6)的上部均通过场氧化层(2)覆盖有正面金属场板(1)；
该高ESD的SBD二极管的制备方法，包括以下步骤：
S1：硅晶片清洗后，在一定温度和时间的工艺条件热生长厚度场氧化层；
S2：在硅晶片正面涂布一定厚度的光刻胶，并曝光、显影及腐蚀出终端环掺杂区；
S3：通过半导体专用设备杂质离子注入机在第一导电掺杂外延终端窗口上注入第二导电掺杂杂质；
S4：去除硅晶片表面的光刻胶，以一定温度和时间来扩散终端注入的杂质PN结深并热生长一定厚度的屏蔽氧化层；
S5：晶片正面涂布一定厚度的光刻胶，并曝光、显影及腐蚀出肖特基源区窗口；
S6：淀积一定厚度某种势垒金属，并热合金形成金半接触的肖特基结结构；
S7：使用王水腐蚀掉肖特基结表面多余的势垒金属；
S8：使用半导体专用设备蒸发台淀积多层正面引线金属层，并涂布光刻胶，并曝光及显影出适当的窗口区；
S9：使用专用化学腐蚀液腐蚀出正面引线图形，并在终端上预留一定厚度的金属场板；
S10：通过专用真空合金炉对腐蚀完的晶片合金完成SBD产品的制造；
所述势垒金属可以为Ni、Cr、NiPt、Pt、Ti、Mo的任意一种。
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