[发明专利]基于FIFO的数据先进后出型存储电路及读写方法在审
| 申请号： | 202110535743.9 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113299326A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高桂;何再生 | 申请（专利权）人： | 珠海市一微半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于FIFO的数据先进后出型存储电路及读写方法，所述方法包括：步骤S1，存储电路检测到写使能信号后，根据写指针指向的地址以第一顺序依次写入数据，写入完成后，生成单次写入数据对应的写入完成标志位；步骤S2，存储电路检测到单次写入数据对应的写入完成标志位置位后，产生读使能信号，根据读指针指向的地址以第二顺序依次读出数据；其中，第一顺序与第二顺序为相反的顺序。本发明所述的方法可以在不新增额外逻辑处理单元的情况下实现数据先进后出，且支持数据同时读写，可进行流水线操作，大大提高了数据处理能力。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fifo 数据 先进 后出型 存储 电路 读写 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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