[发明专利]芯片封装结构、芯片封装方法和电子设备有效
申请号: | 202110532142.2 | 申请日: | 2021-05-17 |
公开(公告)号: | CN112992956B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 吴春悦;何正鸿 | 申请(专利权)人: | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 严诚 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种芯片封装结构、芯片封装方法和电子设备,涉及半导体领域。本申请的芯片封装结构中,将不同功能的第一芯片、第二芯片重叠在一起,通过穿设在第二芯片内的导电柱连接,实现了作为感光芯片的第一芯片与具备其他功能的第二芯片的电连接,集成度高且连接结构很稳定。并且,本申请实施例提供的芯片封装方法可以不使用引线键合工艺,避免塑封时线弧冲弯,或者感光区点胶导致打线困难的问题,提高了产品良率。本申请的芯片封装方法用于制备上述芯片封装结构。本申请提供的电子设备包括了上述的芯片封装结构或者上述芯片封装方法制得的芯片封装结构,因此也具有相应的有益效果。 | ||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的