[发明专利]单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物及其制备方法在审
| 申请号： | 202110526637.4 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN113061034A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王明智;邹芹;赵玉成;张志超;杨倩;田东霞;彭冲 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 张秋菊 |
| 地址： | 066004 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物及其制备方法，先制备复合粉体，复合粉体的化学成分为多组元过渡族金属Ti、Cr、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W的碳化物、氮化物中的至少三种或三种以上组元组成，配比中至少有一个组元为非化学计量比，将复合粉体球磨后，装入石墨模具置于马弗炉或热压烧结机直接热压烧结，烧结温度：1000℃‑1700℃，保温时间：10‑60min，升温速度：10‑30℃/min，压头压力：50MPa，然后自然冷却至1000℃以下泄压，冷却至300℃以下停止抽真空；冷却至60℃以下取出烧结体。本发明烧结温度低、能够保持和提高烧结体的硬度、强度和断裂韧性。 | ||
| 搜索关键词： | 单相 单一 晶体结构 多组元 过渡 金属 共价键 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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