[发明专利]单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物及其制备方法在审
| 申请号： | 202110526637.4 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN113061034A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王明智;邹芹;赵玉成;张志超;杨倩;田东霞;彭冲 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/58;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 张秋菊 |
| 地址： | 066004 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单相 单一 晶体结构 多组元 过渡 金属 共价键 化合物 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将TiC0.5+NbC+VC+TiN复合粉体混合均匀，装入球磨罐中，然后将球磨罐密封后安装在球磨机上进行球磨混料，球磨机转速为60r/min，球磨时间为4h；打开球磨罐，将混合好的料取出，根据混合料的理论密度计算，称取需获得致密烧结体需要的复合粉体，并装入事先准备好的石墨模具中，将上下压头塞入密封；将上述装填好复合粉体的石墨模具置于等离子放电烧结机直接热压烧结，抽真空至7×10-3Pa，进行烧结，烧结温度：1200℃，保温时间：30min，升温速度：30℃/min；压头压力：50MPa；保温完成后，自然冷却至1000℃以下泄压，自然冷却至300℃以下停止抽真空；自然冷却至60℃以下，解除真空，打开加热仓，取出烧结体；经喷砂、打磨、去除表面层后，烧结体外观光滑，组织致密，经过X-射线衍射仪分析，确定最终晶体结构为面心立方fcc型，相组成为单相(TiNbV)(CN)0.5。
2.权利要求1所述的制备方法制得的单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物，其特征在于，所述单相单一晶体结构多组元过渡金属共价键化合物的化学组成包括TiC0.5、NbC、VC和TiN，晶体结构为面心立方fcc型，相组成为单相(TiNbV)(CN)0.5。
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