[发明专利]肖特基势垒二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110525116.7 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN115347052A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;冯涛;梁萌;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基势垒二极管及其制备方法，肖特基势垒二极管包括：异质结，异质结包括依次叠加的氮化镓层，石墨烯插入层和势垒层；其中，石墨烯插入层用于提高氮化镓层与势垒层之间的二维电子气迁移率。本发明提供的肖特基势垒二极管突破了GaN材料本身对载流子迁移率的限制，极大提升了二维电子气的迁移率，得到满足太赫兹波段工作要求的工作器件。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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