[发明专利]高吞吐量、多室衬底处理系统在审
| 申请号： | 202110517352.4 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113782466A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 森幸博 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体处理系统包括第一、第二和第三处理模块组件。第三处理模块组件在第一处理模块组件和第二处理模块组件之间，且包括用于提供要在各个处理模块组件中处理的衬底的开口。处理模块相对于开口横向地布置。第一处理模块组件和第二处理模块组件各自包括相关联的传送室、相关联的衬底传送装置，以及附接相关联的传送室的多个相关联的处理模块。第三处理模块组件可以包括相关联的传送室、相关联的衬底传送装置和附接至相关联的传送室的单个相关联的处理模块。处理系统配置为依次将衬底加载到邻近第三处理模块组件的处理模块组件中，最后将衬底加载到第三处理模块组件的处理模块中。 | ||
| 搜索关键词： | 吞吐量 衬底 处理 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
