[发明专利]高吞吐量、多室衬底处理系统在审
申请号: | 202110517352.4 | 申请日: | 2021-05-12 |
公开(公告)号: | CN113782466A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 森幸博 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吞吐量 衬底 处理 系统 | ||
1.一种用于处理衬底的半导体处理系统,所述处理系统包括:
第一处理模块组件,包括:
第一传送室,其包括第一衬底传送装置;以及
多个第一处理模块,所述第一处理模块各自附接至所述第一传送室且可由所述第一衬底传送装置访问;
第二处理模块组件,包括:
第二传送室,其包括第二衬底传送装置;以及
多个第二处理模块,所述第二处理模块各自附接至所述第二传送室且可由所述第二衬底传送装置访问;
所述第一处理模块组件和所述第二处理模块组件之间的第三处理模块组件,所述第三处理模块组件包括:
第三传送室,其包括第三衬底传送装置;
第三处理模块,其附接至所述第三传送室且可由所述第三衬底传送装置访问;以及
可重新密封的开口,用于从外部环境接收衬底,
其中所述第三处理模块组件的第一侧附接至所述第一处理模块组件,且所述第三处理模块组件的第二侧附接至所述第二处理模块组件;以及
控制器,配置为执行以下动作,包括:
使用所述第一衬底传送装置、所述第二衬底传送装置和所述第三衬底传送装置将衬底从负载锁定室依次加载到所述第一处理模块、所述第二处理模块和所述第三处理模块;
处理加载到所述处理模块中的衬底;以及
在将经处理的衬底从所述第三处理模块卸载之前,使用所述第一衬底传送装置、所述第二衬底传送装置和所述第三衬底传送装置从所述第一处理模块和所述第二处理模块卸载经处理的衬底。
2.如权利要求1所述的处理系统,其中处理衬底包括,在完成每个处理模块的加载时,在所述处理模块中依次开始处理衬底,同时加载其他处理模块。
3.如权利要求1所述的处理系统,其中卸载经处理的衬底包括,从所述第一处理模块、所述第二处理模块、然后是所述第三处理模块,依次卸载衬底。
4.如权利要求1所述的处理系统,其中所述第一处理模块组件和所述第二处理模块组件附接至所述第三处理模块组件的相对侧。
5.如权利要求1所述的处理系统,还包括:
负载锁定室,配置为与所述可重新密封的开口对接;以及
运输室,包括用于与衬底载体对接的多个加载端口,其中所述运输室附接至所述负载锁定室并配置为向所述负载锁定室提供衬底。
6.如权利要求1所述的处理系统,其中所述第三处理模块附接至所述第三传送室的与所述可重新密封的开口相对的一侧。
7.如权利要求1所述的处理系统,其中所述第一处理模块、所述第二处理模块和所述第三处理模块中的每一个包括用于处理衬底的四个反应室。
8.如权利要求1所述的处理系统,其中依次加载衬底包括:
将衬底从所述第三衬底传送装置直接传送至所述第一衬底传送装置;以及
将衬底从所述第三衬底传送装置直接传送至所述第二衬底传送装置。
9.如权利要求1所述的处理系统,其中所述第一衬底传送装置包括第一臂,每个第一臂具有第一末端执行器,
所述第二衬底传送装置包括第二臂,每个第二臂具有第二末端执行器,并且
所述第三衬底传送装置包括第三臂,每个第三臂具有第三末端执行器,
其中所述第一末端执行器、所述第二末端执行器和所述第三末端执行器中的每一个包括彼此间隔开的两个拾取延伸部,其中所述第三末端执行器的两个拾取延伸部之间的距离不同于所述第一末端执行器和所述第二末端执行器的两个拾取延伸部之间的距离。
10.如权利要求1所述的处理系统,其中所述第一传送室和所述第二传送室中的每一个在从上方观察时具有六边形的形状,且包括分别用于与五个第一处理模块和五个第二处理模块对接的五个侧面。
11.如权利要求1所述的处理系统,其中所述负载锁定室包括用于容纳多个衬底的多个负载锁定站。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造