[发明专利]粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 202110514108.2 | 申请日： | 2021-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN113215661B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈启生;许浩 | 申请（专利权）人： | 中科汇通（内蒙古）投资控股有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010000 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，其包括石墨坩埚，用于盛装粉料，并对粉料进行加热；石墨调节柱，设置于所述石墨坩埚的底壁上，用高纯石墨制成，其中部设有至少一个搅拌面板，用于搅拌粉料使得整体的粉料受热均匀；螺纹段，用于连接实现石墨调节柱在石墨坩埚内部上下移动；硅套，用于实现硅套中气相硅向碳化硅粉料中的补充。本发明能够很大程度减少晶体生长过程中因碳化硅粉料受热不均匀引起的缺陷，且进一步协同实现了碳化硅粉料中碳硅比例的合理，使到达上部碳化硅单晶生长表面附近的气相碳和硅的组分和温度分布都非常均匀，得到高质量SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 气氛 含量 可调 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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