[发明专利]粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置

权利要求书

1.粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚和位于石墨坩埚外部的感应加热线圈，其特征在于：

所述石墨坩埚内部还设有石墨调节柱，所述石墨调节柱的上端部设有顶盖，所述石墨调节柱的中部设有至少一个搅拌面板；所述搅拌面板为平板结构，包括石墨基底，所述石墨基底表面制备有碳化钨耐高温涂层，所述搅拌面板的最外层为可拆卸的硅套；所述硅套的材料为单晶硅或多晶硅；

所述石墨调节柱的下部穿过所述石墨坩埚的底部并延伸到所述石墨坩埚外部，位于石墨坩埚外部的所述石墨调节柱依次包围有保温层和隔热层；

所述石墨调节柱的末端设有螺纹段，所述螺纹段固定连接有螺杆，所述螺杆与电机相连；

所述螺杆可带动所述石墨调节柱在石墨坩埚内部同时上下移动和绕轴线转动；

所述顶盖的上表面设有气孔，所述石墨调节柱内部设有可供卤素气体通过的气道；所述顶盖的气孔与所述石墨调节柱内部的气道连通，所述气孔外表面设有仅可向外排气的高纯石墨单向阀片。

2.根据权利要求1所述的粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述石墨调节柱与所述石墨坩埚底部连接处存在供所述石墨调节柱转动和移动的配合间隙。

3.根据权利要求1所述的粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述顶盖的上表面和下表面均为中间凸出的圆锥体。

4.根据权利要求1所述的粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述螺杆的内部设有进气管，所述进气管的上端部与所述气道的末端对接，所述进气管还设有进气口，所述进气口与位于电机一侧的卤素气体仓相通。

5.根据权利要求4所述的粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述卤素气体仓中设有气体流量计和压力控制装置。

6.根据权利要求1所述的粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述搅拌面板的上表面和下表面均为外凸的弧面。

7.根据权利要求1所述的粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述螺纹段不进入所述石墨坩埚的内部。

8.根据权利要求1所述的粉料和生长气氛中硅含量可调的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述石墨调节柱的材质为高纯石墨，所述高纯石墨的外表面制备有碳化钨耐高温涂层。