[发明专利]一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法在审
| 申请号： | 202110509313.X | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113314587A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴磊;陆界江;桜井建弥;李娇 | 申请（专利权）人： | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 朱远枫 |
| 地址： | 201899 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法，设置发射极、N+发射区、P基区、沟槽栅、虚拟多晶硅、浮动P区、n‑截止区和n‑漂移区；虚拟多晶硅的两侧分别与沟槽栅之间设置浮动P区，沟槽栅之间除设置虚拟多晶硅和浮动P区之外的区域设置P基区，P基区表面两侧设置N+发射区，所述P基区和浮动P区均设置于n‑漂移区的上方；n‑漂移区的下方设置n‑截止区，n‑型截止区的下方设置p型集电极区，p型集电极区的下方连接集电极。由于虚拟沟道中的p区与多晶硅和外发射极电极之间的连接以及独特的栅结构的引入，使得从浮动p区到有源栅电极的位移电流较小，从而获得良好的di/dt可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 沟槽 igbt 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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