[发明专利]一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法

权利要求书

1.一种增强型沟槽栅IGBT，其特征在于，包括：设置发射极、N+发射区、P基区、沟槽栅、虚拟多晶硅、浮动P区、n-截止区和n-漂移区；虚拟多晶硅的两侧分别与沟槽栅之间设置浮动P区，沟槽栅之间除设置虚拟多晶硅和浮动P区之外的区域设置P基区，P基区表面两侧设置N+发射区，所述P基区和浮动P区均设置于n-漂移区的上方；n-漂移区的下方设置n-截止区，n-型截止区的下方设置p型集电极区，p型集电极区的下方连接集电极。

2.根据权利要求1所述的一种增强型沟槽栅IGBT，其特征在于，所述沟槽栅外层靠近浮动P区一测的栅氧化层比靠近P基区一测的栅氧化层厚。

3.根据权利要求1所述的一种增强型沟槽栅IGBT，其特征在于，加大所述沟槽栅底部栅极氧化膜的厚度。

4.根据权利要求1所述的一种增强型沟槽栅IGBT，其特征在于，所述虚拟多晶硅平行于所述沟槽栅。

5.根据权利要求1所述的一种增强型沟槽栅IGBT，其特征在于，所述虚拟多晶硅为两个，且两个虚拟多晶硅分离并且中间间隔窄P基区，两个虚拟多晶硅与发射极相连。

6.根据权利要求1所述的一种增强型沟槽栅IGBT，其特征在于，浮动P区与发射极相连。

7.一种增强型沟槽栅IGBT的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：进行p基扩散、沟干法刻蚀和掺杂多晶硅栅沉积之后，以及随后的RIE、CDE和湿法刻蚀之后的沟道栅区域；

步骤2：CVD SiO2；

步骤3：进行CMP和光刻工艺；

步骤4：进行RIE和CDE，牺牲SiO2生长，然后进行SiO2蚀刻；

沉积掺杂多晶硅并进行CMP，最后进行n+发射极和p+基扩散。