[发明专利]LiF/SiOx在审

专利信息
申请号: 202110505093.3 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN113293376A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 顾钦 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C23C28/04 分类号: C23C28/04;C23C16/40;C23C16/50;C23C14/06;C23C14/35;H01M4/1391;H01M4/04;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 肖爱华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种LiF/SiOx薄膜及其制备方法,其中制备方法包括:将纯度大于99%的铜箔作为衬底装载在等离子体增强化学气相沉积的腔室内;对所述腔室抽真空,待所述蒸镀腔体的真空度达到10‑4Pa,通入反应源气体SiH4和N2O;调节射频功率使反应源气体变为等离子态并打在衬底上,进行镀膜;镀膜完成后关闭射频装置,停止抽真空,待冷却至室温取出SiOx薄膜样品;将SiOx薄膜放入磁控溅射腔室内的基板上,并装上LiF靶材;抽真空度至10‑4Pa,通入氩气;调节射频功率,将LiF溅射在SiOx薄膜上;溅射完成后待冷却至室温取出制备的LiF/SiOx薄膜材料。本申请制备的LiF/SiOx薄膜材料具有循环稳定性好,放电容量高等优点,具有一定的商业前景。
搜索关键词: lif sio base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110505093.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top