[发明专利]LiF/SiOx 在审
| 申请号： | 202110505093.3 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113293376A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 顾钦 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C16/40;C23C16/50;C23C14/06;C23C14/35;H01M4/1391;H01M4/04;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 肖爱华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | lif sio base sub | ||
1.一种LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将纯度大于99％的铜箔作为衬底装载在等离子体增强化学气相沉积的腔室内；
对所述腔室抽真空，待所述蒸镀腔体的真空度达到10-4Pa，通入反应源气体SiH4和N2O；
调节射频功率使反应源气体变为等离子态并打在衬底上，进行镀膜；
镀膜完成后关闭射频装置，停止抽真空，待冷却至室温取出SiOx薄膜样品；
将SiOx薄膜放入磁控溅射腔室内的基板上，并装上LiF靶材；
抽真空度至10-4Pa，通入氩气；
调节射频功率，将LiF溅射在SiOx薄膜上；
溅射完成后待冷却至室温取出制备的LiF/SiOx薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，所述铜箔的纯度大于99.9％，厚度为8-10μm。
3.根据权利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，所述SiOx薄膜厚度约为1μm。
4.根据权利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，在将LiF溅射在SiOx薄膜上的过程中，射频功率为60W。
5.根据权利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，在等离子体增强化学气相沉积的腔室内设置有基板，衬底安装在所述基板上。
6.根据权利要求5所述的LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，在通入反应源气体SiH4和N2O的步骤之前，通入氩气对所述基板进行清洗。
7.根据权利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，在对各个腔室抽真空的步骤中，先采用机械泵对所述的腔室抽真空，至真空度低于5Pa后采用分子泵进一步抽真空。
8.根据权利要求1所述的LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，通过晶振仪测量并控制溅射的LiF薄膜的厚度。
9.根据权利要求8所述的LiF/SiOx薄膜的制备方法，其特征在于，所述LiF薄膜的厚度控制在18-48nm范围内。
10.一种LiF/SiOx薄膜，其特征在于，采用权利要求1至9中任意一项所述的方法制备而成。
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