[发明专利]一种高延伸性电解铜箔及其制备方法有效
| 申请号： | 202110498749.3 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113621999B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 卢磊;程钊;金帅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;C25D3/38;C25D7/06;C21D1/26;C21D1/74;C21D9/46;C22F1/08;C22F1/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高延伸性电解铜箔以及制备方法，属于覆铜板用电解铜箔制备技术领域。首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔，再对纳米孪晶铜箔进行退火处理，即获得所述高延伸性电解铜箔，其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该电解铜箔沿其厚度方向存在一个或多个晶粒，晶粒尺寸范围为0.5‑20微米；晶粒内部存在一个或多个孪晶片层。该电解铜箔的厚度为12微米时，其延伸率高达15％，抗拉强度为191MPa，在挠性覆铜板领域具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 延伸 电解 铜箔 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110498749.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
