[发明专利]一种高延伸性电解铜箔及其制备方法有效
申请号: | 202110498749.3 | 申请日: | 2021-05-08 |
公开(公告)号: | CN113621999B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 卢磊;程钊;金帅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C25D1/04 | 分类号: | C25D1/04;C25D3/38;C25D7/06;C21D1/26;C21D1/74;C21D9/46;C22F1/08;C22F1/02 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 于晓波 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 延伸 电解 铜箔 及其 制备 方法 | ||
1.一种高延伸性电解铜箔,其特征在于:该电解铜箔沿其厚度方向存在多个晶粒,晶粒尺寸范围为0.5-20微米;晶粒内部存在多个孪晶片层,平均孪晶片层厚度的范围为0.25-10微米;
所述高延伸性电解铜箔的制备方法为:首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔,再对纳米孪晶铜箔进行退火处理,即获得所述高延伸性电解铜箔;
所述退火处理过程中,退火温度为300-600℃,时间为2-200分钟;退火过程中使用氩气或氮气作为保护气氛;
所述直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔的过程中,所用电解液组成如下:
硫酸铜 90~150 g/L;
明胶 30~50 mg/L;
HCl 30-70 mg/L;
水 余量;
所述直流电解沉积技术工艺参数为:采用恒电流模式,电流密度5-150 mA/cm2,电解沉积时间3 min ~20 h,温度5~40 ℃;电解液用浓硫酸调节pH值为0.5~1.5;
所述直流电解沉积过程中,阳极选用铱钽钛电极,阴极为纯Ti板,阴极与阳极之间的间距为60~140 mm,阳极与阴极面积比为(2~10): 1。
2.按照权利要求1所述的高延伸性电解铜箔,其特征在于:电解铜箔的厚度为3-100 μm。
3.按照权利要求1所述的高延伸性电解铜箔,其特征在于:该电解铜箔的纯度为99.995±0.005%,室温条件下拉伸延伸率为5-40%,抗拉强度为100-500 MPa。
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