[发明专利]一种纳米孪晶铜箔及其制备方法有效
| 申请号： | 202110498736.6 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113621998B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 卢磊;程钊;金帅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米孪晶铜箔及其制备方法，属于电解铜箔制备技术领域。该铜箔利用直流电解沉积技术制备得到，其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该铜箔内部微观结构由柱状晶粒组成，自下而上，柱状晶粒尺寸由纳米量级逐渐增加到微米量级；柱状晶粒内存在纳米尺度的孪晶片层，晶粒的取向由随机取向变为强(111)织构。纳米孪晶铜箔的厚度为6微米时，其抗拉强度高于500MPa，同时具有较高的稳定性和导电性，在锂离子电池和电路板领域具有较好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 铜箔 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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