[发明专利]一种纳米孪晶铜箔及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米孪晶铜箔，其特征在于：所述纳米孪晶铜箔是由柱状晶粒组成，柱状晶粒尺寸自下而上逐渐增加，其平均短轴尺寸变化范围为200 ~ 950 nm；柱状晶粒内含有纳米尺度的孪晶片层，平均纳米孪晶片层厚度处于100 nm以下；

所述的柱状晶粒取向自下而上由随机取向变为强(111)织构；

所述纳米孪晶铜箔的厚度为6-17 μm；

所述纳米孪晶铜箔的制备方法为：通过直流电解沉积技术制备而成，所述直流电解沉积技术中，所用电解液组成如下：

硫酸铜    90~150 g/L；

明胶      30~50 mg/L；

HCl       30-70 mg/L；

水        余量；

所述直流电解沉积技术工艺参数为：采用恒电流模式，电流密度30 mA/cm²，电解沉积时间22-40 min，温度5~40 ℃；电解液用浓硫酸调节pH值为1.0-1.5。

2.根据权利要求1所述的纳米孪晶铜箔，其特征在于：所述纳米孪晶铜箔的性能：纯度为99.995±0.005%，室温条件下抗拉强度大于500MPa，延伸率为1~5%。

3.根据权利要求1所述的纳米孪晶铜箔，其特征在于：所述直流电解沉积过程中，阳极选用铱钽钛电极，阴极为纯Ti板，阴极与阳极之间的间距为60~140 mm，阳极与阴极面积比为（1~10）: 1。