[发明专利]一种忆阻器读写方法有效
| 申请号： | 202110495859.4 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113314178B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 蒋燕君;赵文静;周明娟;徐振宇;阮越;吴建锋;尉理哲;叶芳芳;江俊;许森;王金铭;吕何新;王章权 | 申请（专利权）人： | 浙江树人学院(浙江树人大学) |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙) 33303 | 代理人： | 雷仕荣 |
| 地址： | 312028 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻器读写方法，至少设置写入单元和读取单元，其中，向忆阻器写入信息时，接通写入单元形成写入回路，所述写入单元在忆阻器两端产生正向电压或反向电压使忆阻器处于高阻态或低阻态；读取忆阻器状态时，接通读取单元形成读取回路，所述读取单元在忆阻器的一端产生激励信号，并在忆阻器的另一端读取输出状态以此获取忆阻器的状态。与现有技术相比，本发明的技术方案能够以更为简单的电路结构实现更丰富的读写控制以及逻辑控制功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 读写 方法 | ||
【主权项】：
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