[发明专利]一种适用于GaN半桥栅驱动的电平位移电路有效
| 申请号： | 202110493755.X | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113193865B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 明鑫;秦尧;刘媛媛;孙天一;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于电源技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥栅驱动的电平位移电路。本发明提出的电平位移电路通过PWM信号控制的有源钳位电平位移电路与短脉冲控制的加速模块协同作用的方式，有效避免了LDMOS寄生电容上大电压动态范围对速度的限制，实现了高速电平转换。同时，通过解耦加速电路将电路中相对低具有大寄生电容的节点与输出分离，在dV/dt转换过程中有效避免了对相对地的寄生电容充放电引起的逻辑误翻转，提高了dV/dt噪声抑制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 gan 半桥栅 驱动 电平 位移 电路 | ||
【主权项】：
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