[发明专利]一种适用于GaN半桥栅驱动的电平位移电路

权利要求书

1.一种适用于GaN半桥栅驱动的电平位移电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第一NOMS管、第二NOMS管、第三NOMS管、第四NOMS管、第五NOMS管、第六NOMS管、第七NOMS管、第八NOMS管、第九NOMS管、第十NOMS管、第十一NOMS管、第十二NOMS管、第十三NOMS管、第十四NOMS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管、第一PLDMOS管、第二PLDMOS管、第一NLDMOS管、第二NLDMOS管、第三NLDMOS管、第四NLDMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一短脉冲产生电路、第二短脉冲产生电路和非门；其中，

第一PMOS管的源极接电源，其栅极接第一输入端；第一NMOS管的漏极接第一PMOS管的漏极，第一NMOS管的栅极接第一输入端，第一NMOS管的源极接地；

第二PMOS管的源极接电源、其栅极接第二输入端；第二NMOS管的漏极接第二PMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极接第二输入端，第二NMOS管的源极接地；

第一PMOS管栅极和第一NMOS管栅极的连接点接非门的输入端，非门的输出端接第二PMOS管栅极和第二NMOS管栅极的连接点；

第三PMOS管的源极接高侧浮动电源，其栅极通过第四电阻后接第四PMOS管的漏极；第四PMOS管的源极接高侧浮动电源，其栅极通过第三电阻后接第三PMOS管的漏极；

第三NMOS管的漏极通过第三电阻后接第三PMOS管的漏极，第三NMOS管的栅极通过第四电阻后接第四PMOS管的漏极，第三NMOS管的源极接高侧浮动地；第四NMOS管的漏极通过第四电阻后接第四PMOS管的漏极，第四NMOS管的栅极通过第三电阻后接第三PMOS管的漏极，第四NMOS管的源极接高侧浮动地；

第五NMOS管的漏极接第三PMOS管的漏极，第五NMOS管的栅极通过第四电阻后接第四PMOS管的漏极，第五NMOS管的源极接高侧浮动地；第六NMOS管的漏极接第四PMOS管的漏极，第六NMOS管的栅极通过第三电阻后接第三PMOS管的漏极，第六NMOS管的源极接高侧浮动地；

第七NMOS管的漏极通过第三电阻后接第三PMOS管的漏极，第七NMOS管的栅极和漏极均接高侧浮动地；第八NMOS管的漏极通过第四电阻后接第四PMOS管的漏极，第八NMOS管的栅极和漏极均接高侧浮动地；

第一电阻的一端接第七NMOS管的漏极，第一电阻的另一端接高侧浮动地；第一PLDMOS管的源极接第一电阻的一端，第一PLDMOS管的栅极接高侧浮动地；第一NLDMOS管的漏极接第一PLDMOS管的漏极，第一NLDMOS管的栅极接电源，第一NLDMOS管的源极和第九NMOS管的源极接第一NMOS管的漏极；第九NMOS管的漏极接电源，其栅极和源极互连；

第二电阻的一端接高侧浮动电源，第二电阻的另一端接第八NMOS管的漏极；

第二PLDMOS管的源极接第八NMOS管的漏极，第二PLDMOS管的栅极接高侧浮动地；第二NLDMOS管的漏极接第二PLDMOS管的漏极，第二NLDMOS管的栅极接电源，第二NLDMOS管的源极和第十NMOS管的源极接第二NMOS管的漏极；第十NMOS管的漏极接电源，其栅极和源极互连；

第五PMOS管的源极接高侧浮动电源，其栅极与漏极互连；第六PMOS管的源极接高侧浮动电源，其栅极接第五PMOS管的漏极，第六PMOS管的漏极接第一PLDMOS管的源极；第七PMOS管的源极接高侧浮动电源，其栅极接第五PMOS管的漏极，第七PMOS管的漏极接第三PMOS管的漏极；

第十一NMOS管的漏极接第五PMOS管的漏极，第十一NMOS管的栅极和源极均接高侧浮动地；

第三NLDMOS管的漏极接第五PMOS管的漏极，第三NLDMOS管栅极接电源，第三NLDMOS管的源极和第十二NMOS管的源极接第十三NMOS管的漏极；第十二NMOS管的漏极接电源，其栅极和源极互连；第十三NMOS管的栅极接第一短脉冲产生电路的输出，第十三NMOS管的源极接地；

第八PMOS管的源极接高侧浮动电源，其栅极与漏极互连；第九PMOS管的源极接高侧浮动电源，其栅极接第八PMOS管的漏极，第九PMOS管的漏极接第二PLDMOS管的源极；第十PMOS管的源极接高侧浮动电源，其栅极接第八PMOS管的漏极，第十PMOS管的漏极接第四PMOS管的漏极；

第十四NMOS管的漏极接第八PMOS管的漏极，第十四NMOS管的栅极和源极均接高侧浮动地；

第四NLDMOS管的漏极接第八PMOS管的漏极，第四NLDMOS管栅极接电源，第四NLDMOS管的源极和第十五NMOS管的源极接第十六NMOS管的漏极；第十五NMOS管的漏极接电源，其栅极和源极互连；第十六NMOS管的栅极接第二短脉冲产生电路的输出，第十六NMOS管的源极接地；

第三PMOS管漏极、第五NMOS管漏极和第七PMOS管漏极的连接点为第一输出端；第四PMOS管漏极、第十PMOS管漏极和第六NMOS管漏极的连接点为第二输出端。

2.根据权利要求1所述的一种适用于GaN半桥栅驱动的电平位移电路，其特征在于，所述第一短脉冲产生电路包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、与门和电容，其中，第一反相器、第二反相器和第三反相器依次串接，第一反相器的输入端接第二输入端，第二反相器和第三反相器的连接点通过电容后接地，与门的一个输入端接第二输入端，与门的另一个输入端接第三反相器的输出端，与门的输出端为第一短脉冲产生电路的输出端；第二短脉冲产生电路的结构与第一短脉冲产生电路的结构相同，不同在于第二短脉冲产生电路的输入为第一输入端。