[发明专利]温度探测装置

摘要

本申请涉及温度探测装置，具体而言，涉及温度检测领域。本申请提供的温度探测装置，装置包括：吸热层、半导体柱、隔热层、绝缘层、石墨烯层、第一电极和第二电极；当温度探测装置探测外界温度时，该吸热层吸收外界热量，并将该热量传递到该半导体柱上，使得该“T”形结构的半导体柱的短端一侧温度升高，由于该半导体柱靠近该石墨烯层一端的长端温度不变，则该半导体柱的两端之间具有一定温差，进而该半导体柱上的载流子汇聚到该石墨烯层上，从而改变该石墨烯层的导电特性，通过检测该第一电极和第二电极之间的电导率的变化情况，并根据该第一电极和第二电极之间的电导率的变化情况与待测温度的对应关系，得到待测温度。