[发明专利]温度探测装置

说明书

本申请涉及温度探测装置，具体而言，涉及温度检测领域。本申请提供的温度探测装置，装置包括：吸热层、半导体柱、隔热层、绝缘层、石墨烯层、第一电极和第二电极；当温度探测装置探测外界温度时，该吸热层吸收外界热量，并将该热量传递到该半导体柱上，使得该“T”形结构的半导体柱的短端一侧温度升高，由于该半导体柱靠近该石墨烯层一端的长端温度不变，则该半导体柱的两端之间具有一定温差，进而该半导体柱上的载流子汇聚到该石墨烯层上，从而改变该石墨烯层的导电特性，通过检测该第一电极和第二电极之间的电导率的变化情况，并根据该第一电极和第二电极之间的电导率的变化情况与待测温度的对应关系，得到待测温度。

技术领域

本申请涉及温度检测领域，具体而言，涉及一种温度探测装置。

背景技术

温度是表示物体冷热程度的物理量，微观上来讲是物体分子热运动的剧烈程度。温度只能通过物体随温度变化的某些特性来间接测量，随着科学的发展，对温度测量的准确性要求越来越高。

现有技术中，一般采用电子温度计实现较为准确的温度测量，电子温度计采用温度传感器，根据电阻和电流的关系完成对温度的测量。

但是，在不同温度下，电子温度计的阻值会温度的改变而改变，使得对温度的测量不准确。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种温度探测装置，以解决现有技术中在不同温度下，电子温度计的阻值会温度的改变而改变，使得对温度的测量不准确的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种温度探测装置，装置包括：吸热层、半导体柱、隔热层、绝缘层、石墨烯层、第一电极和第二电极；绝缘层和隔热层中间位置均设置有通孔，且绝缘层设置在石墨烯层的一侧，隔热层设置在绝缘层远离石墨烯层的一侧，第一电极和第二电极分别设置在石墨烯层的两端，半导体柱的形状为“T”形结构，“T”形结构的半导体柱的长端依次穿过绝缘层和石墨烯层的孔洞，并与石墨烯层的表面接触，吸热层罩设在半导体柱的短端一侧，并将热量传递给半导体柱。

可选地，该吸热层的表面覆盖设置有黑铬涂层。

可选地，该装置还包括导热层，导热层设置在吸热层和半导体柱之间。

可选地，该导热层表面设置有凹槽，凹槽的尺寸等于“T”形结构的半导体柱的短端的尺寸，且导热层的凹槽与“T”形结构的半导体柱的短端嵌套设置。

可选地，该半导体柱的短端设置有多个孔洞。

可选地，该装置还包括传热导线，传热导线穿过半导体柱的短端的多个孔洞与导热层连接。

可选地，该石墨烯层为多层石墨烯结构。

可选地，该半导体柱的材料为锑化铟材料。

本发明的有益效果是：