[发明专利]一种高压JFET器件有效
| 申请号： | 202110475900.1 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113517354B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 乔明;袁章亦安;李欣键;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种高压JFET器件，包括p型衬底、n型漂移区、p型体区、p |
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| 搜索关键词： | 一种 高压 jfet 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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