[发明专利]三轴磁阻磁场传感器及制作方法在审
| 申请号： | 202110474811.5 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113341354A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 朱大鹏;李迎港;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 | 代理人： | 王顺荣;唐爱华 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三轴磁阻磁场传感器及制作方法，包括：磁阻传感单元和导线连接电路；所述的磁阻传感单元进一步包括磁阻单元和传感单元，所述的磁阻单元由磁阻膜堆制成，传感单元由一个或多个磁阻单元组成。本发明优点在于：单一膜堆制成三轴传感器，成本低。同步光刻和刻蚀，简单的工艺步骤完成三轴传感器的器件加工。后期封装更为方便，可靠性强，且封装成本低。设计具有灵活性，根据不同应用，易于设计传感器的灵敏度和测量范围。磁传感器结构简单，易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 磁场 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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