[发明专利]反应腔室、半导体工艺设备和基座温度控制方法

摘要

本发明提供一种反应腔室、半导体加工设备和基座温度控制方法。反应腔室包括腔体、基座和预热环，预热环与腔体的内周壁连接，且环绕在基座周围，还包括测温组件，测温组件包括弧形检测管和设置其中的测温元件，弧形检测管设置在预热环底部的靠近预热环的内周缘的位置处，且沿基座的周向延伸，检测管的一端具有延伸部，延伸部贯通腔体，并延伸至腔体的外部；测温元件用于检测沿弧形检测管延伸方向间隔分布的多个测温点处的温度，用作基座的边缘温度值，且测温元件的导线通过延伸部引出至腔体的外部。本发明提供的反应腔室、半导体加工设备和基座温度控制方法，在腔室处工艺状态下对基座温度进行实时检测，在正式工艺开始前无需开腔拆除测温组件。