[发明专利]反应腔室、半导体工艺设备和基座温度控制方法

权利要求书

1.一种用于半导体工艺设备的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括腔体、设置在所述腔体中的基座和预热环，所述预热环与所述腔体的内周壁连接，且环绕在所述基座周围，所述反应腔室还包括测温组件，所述测温组件包括弧形检测管和设置在所述弧形检测管中的测温元件，其中，

所述弧形检测管设置在所述预热环底部的靠近所述预热环的内周缘的位置处，且沿所述基座的周向延伸，并且所述弧形检测管的一端具有延伸部，所述延伸部贯通所述腔体，并延伸至所述腔体的外部；

所述测温元件用于检测沿所述弧形检测管的延伸方向间隔分布的多个测温点处的温度，用作所述基座的边缘温度值，且所述测温元件的导线通过所述延伸部引出至所述腔体的外部。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述预热环的底部设置有安装槽，所述安装槽的形状与所述弧形检测管和部分所述延伸部的形状相适配，用以容纳所述弧形检测管和部分所述延伸部，并且所述安装槽贯通至所述预热环的内周面，以使所述弧形检测管能够与所述基座的外周面相对。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述腔体中设置有用于供所述延伸部穿过的通孔；

所述反应腔室还包括密封环和密封盖；其中，

所述密封环设置在所述通孔内，环绕在所述延伸部与所述通孔的孔壁之间，用以对二者之间的间隙进行密封；

所述密封盖设置在所述腔体的外部，且与所述腔体固定连接，用以封堵所述通孔的外端部。

4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括温度显示器，所述温度显示器与所述测温元件的所述导线电连接，用于显示所述测温元件在多个所述测温点检测到的温度。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述测温点为三个，且分别位于所述弧形检测管的中间位置和两个边缘位置处；所述测温元件为三个，且与三个所述测温点一一对应设置。

6.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括红外测温仪，所述红外测温仪设置在所述腔体的顶部，且位于所述基座的上方，用以检测所述基座的中心温度。

7.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述弧形检测管为石英管。

8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括旋转机构，与所述基座连接，用于驱动所述基座旋转。

9.一种半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备为外延生长设备，包括权利要求1-8任意一项所述的反应腔室。

10.一种基座温度控制方法，用于控制权利要求1-8任意一项所述的反应腔室的基座的温度，其特征在于，包括以下步骤：

在进行工艺的过程中，按时间顺序采用多个不同的加热功率值对所述反应腔室进行加热，并实时检测多个所述测温点处的温度，用作所述基座的边缘温度值；

计算与各个所述加热功率值对应的多个所述测温点处的所述边缘温度值的边缘温度平均值；

根据预设的与各个所述加热功率值对应的所述边缘温度平均值与所述基座的中心温度值之间的对应关系，获得与当前的所述加热功率值和所述边缘温度平均值对应的所述中心温度值；

将所获得的所述中心温度值与预设的中心温度目标值进行比较，并根据比较结果调节向所述反应腔室输出的加热功率，以使所述基座的中心温度值等于所述中心温度目标值。

11.根据权利要求10所述的基座温度控制方法，其特征在于，所述基座温度控制方法还包括以下步骤：

在进行工艺之前，按时间顺序采用多个不同的加热功率值对所述反应腔室进行加热，且在加热过程中检测并记录与各个所述加热功率值对应的多个所述测温点处的边缘温度值以及所述基座的中心温度值；

计算与各个所述加热功率值对应的多个所述测温点处的所述边缘温度值的边缘温度平均值；

基于与各个所述加热功率值对应的所述边缘温度平均值和检测到的所述中心温度值，获得所述对应关系，并进行存储。