[发明专利]腔室维护后降低钼含量的方法有效
| 申请号： | 202110467219.2 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113223915B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 贺学兵;吴长明;冯大贵;王玉新;余鹏;童光辉;张欢欢 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种腔室维护后降低钼含量的方法,包括步骤S1，腔室维护，所述腔室维护步骤至少包括清洗步骤，所述清洗步骤注入第一工艺气体，以及排出所述第一工艺气体，用以降低腔室内的金属杂质离子含量，所述清洗步骤循环多次；步骤S2，腔室钼含量检测，用以测量所述腔室内钼离子的含量；步骤S3，钼元素清洗，用以降低所述腔室内所述钼离子的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 维护 降低 含量 方法 | ||
【主权项】：
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