[发明专利]腔室维护后降低钼含量的方法有效

申请号：	202110467219.2	申请日：	2021-04-28
公开（公告）号：	CN113223915B	公开（公告）日：	2022-07-05
发明（设计）人：	贺学兵;吴长明;冯大贵;王玉新;余鹏;童光辉;张欢欢	申请（专利权）人：	华虹半导体（无锡）有限公司
主分类号：	H01J37/32	分类号：	H01J37/32
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	郭立
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	维护降低含量方法
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【说明书】：

本发明公开了一种腔室维护后降低钼含量的方法,包括步骤S1，腔室维护，所述腔室维护步骤至少包括清洗步骤，所述清洗步骤注入第一工艺气体，以及排出所述第一工艺气体，用以降低腔室内的金属杂质离子含量，所述清洗步骤循环多次；步骤S2，腔室钼含量检测，用以测量所述腔室内钼离子的含量；步骤S3，钼元素清洗，用以降低所述腔室内所述钼离子的含量。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种腔室维护后降低钼含量的方法。

背景技术

在半导体集成电路制造过程中，诸多工艺都会引入各种金属元素，无论是离子注入或刻蚀等等。这些金属元素作为副产物会粘附在腔室内壁表面上。当对不同工艺进行切换时，为了重建下一制造工艺的腔室内环境，需要对腔室进行维护。维护后进行暖机和测试，为下一制造工艺做准备。如公开文献CN108389809A、CN111952168A、CN210378986U中所提到的。

用作图像传感器的CIS芯片，其金属离子含量是影响芯片良率的一个重要参数，金属离子含量过高，会导致CIS芯片在不通电的情况下产生暗电流(Dark Current)，在芯片像素测试时，暗电流会导致白色像素(White Pixel)的形成，使像素测试失败，良率降低。金属离子中Mo钼元素对其影响最大，因此需要在CIS芯片制造工艺中把腔室中Mo钼元素含量控制在很低的范围内，Mo钼元素的含量要求通常要远低于其他元素。但现有技术各种方法中对Mo钼元素的去除效果，都不太理想。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，如何在腔室维护后有效降低钼元素在腔室中的含量，提高CIS芯片的制造良品率。

本发明提供一种腔室维护后降低钼含量的方法，包括：

步骤S1，腔室维护，所述腔室维护步骤至少包括清洗步骤，所述清洗步骤注入第一工艺气体，以及排出所述第一工艺气体，用以降低腔室内的金属杂质离子含量，所述清洗步骤循环多次；

步骤S2，腔室钼含量检测，用以测量所述腔室内钼离子的含量；

步骤S3，钼元素清洗，用以降低所述腔室内所述钼离子的含量，

所述钼元素清洗步骤注入第二工艺气体，以及排出所述第二工艺气体，

所述第二工艺气体至少包含四氟化碳、氦气和氧气，在注入所述第二工艺气体前还在所述腔室中放入晶圆,

所述晶圆为已经过等离子体增强四乙基硅酸盐淀积过的晶圆。

优选地，所述步骤S2中，采用所述钼含量检测采用电感耦合等离子体质谱分析方法获得。

优选地，所述步骤S3中，所述钼元素清洗步骤循环多次。

优选地，所述步骤S3中，所述第二工艺气体注入的流量范围为100-300sccm，压力范围为20-50mT。