[发明专利]一种异质结光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110465003.2 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113257944B | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉祥;江源长;雷双瑛;陈洁;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明给出了一种使用不同类黑磷材料的不同双层堆垛结构来制备新型光电探测器的方法，该光电探测器包括衬底、下电极、双层GeS‑AB堆垛(GeS‑AB)、双层旋转SnS‑AD堆垛(tSnS‑AD)、上电极。本发明使用的双层GeS‑AB堆垛和双层旋转SnS‑AD堆垛能购成Ⅱ型半导体异质结，这里的GeS‑AB为受体材料，而tSnS‑AD为给体材料；且SnS材料和GeS材料在空气相对稳定，不容易和氧气发生反应；我们选用了特殊的电极材料，减小了接触电阻，有效的提升了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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