[发明专利]一种存储器的纠错方法及装置在审

专利信息
申请号: 202110459816.0 申请日: 2021-04-27
公开(公告)号: CN113010347A 公开(公告)日: 2021-06-22
发明(设计)人: 王颀;杨柳;何菁;李前辉;于晓磊;霍宗亮;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C16/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 柳虹
地址: 100029 北京市朝阳*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请实施例提供了一种存储器的纠错方法及装置,可以为目标阈值电压分布态确定重编程电压区间,根据预设参考电压,基于增量步进脉冲编程,对阈值电压位于重编程区间的存储单元进行编程,其中重编程电压区间由起始电压和终止电压界定,起始电压小于目标阈值电压分布态的读取电压,终止电压可以根据目标阈值电压分布态的数据保持时间需求确定,这样重编程的存储单元可以根据重编程电压区间确定,而重编程后的阈值电压可以根据参考电压确定,能够满足更多的实际应用场景,更好的满足实际应用中的数据需求,且避免了不需要编程的存储单元被编程,因此能够降低存储单元的额外的损耗。
搜索关键词: 一种 存储器 纠错 方法 装置
【主权项】:
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