[发明专利]一种存储器的纠错方法及装置

说明书

本申请实施例提供了一种存储器的纠错方法及装置，可以为目标阈值电压分布态确定重编程电压区间，根据预设参考电压，基于增量步进脉冲编程，对阈值电压位于重编程区间的存储单元进行编程，其中重编程电压区间由起始电压和终止电压界定，起始电压小于目标阈值电压分布态的读取电压，终止电压可以根据目标阈值电压分布态的数据保持时间需求确定，这样重编程的存储单元可以根据重编程电压区间确定，而重编程后的阈值电压可以根据参考电压确定，能够满足更多的实际应用场景，更好的满足实际应用中的数据需求，且避免了不需要编程的存储单元被编程，因此能够降低存储单元的额外的损耗。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种存储器的纠错方法及装置。

背景技术

半导体存储器件的特点可为易失性的或非易失性的，尽管易失性半导体存储器件可以高速执行读取操作和写入操作，但是在断电状态下存储在易失性半导体存储器件中的内容会丢失。相反，非易失性半导体存储器件的特点是无论是否加电均保留存储的内容。闪存器件(Flash memory)是典型的非易失性半导体存储器件的示例，闪存器件可以被广泛地用作数据存储介质。

随着对大容量存储装置的需求增大，正在广泛的使用每单元存储多比特的多级单元存储器件或多比特存储器件。在采用多级单元的存储器件中，可以在浮栅或电荷俘获层中注入不同数量的电子可以得到不同的阈值电压，从而表示不同的逻辑态，以多层单元(Multi-Level Cell，MLC)NAND Flash为例，在读取数据时，通过在栅极施加3个不同的读取电压，可以区分四个逻辑态。

然而存储单元的阈值电压通常随着存储器件的特性、时间的流逝和/或外围温度而变化，例如浮栅或电荷俘获层中的电子会随着时间的增加逐渐流失，使存储单元的阈值电压减小，当存储单元的阈值电压从高于相对应的读取电压减小到低于相对应的读取电压的电压，将会导致存储单元产生读取错误，称为数据保持错误(data retention error)，数据保持错误会随着存储时间的增加逐渐增多。

差错控制编码(Error Correcting Code，ECC)可以纠正读出数据的错误，是保证写入数据和读出数据的一致性，提高存储系统可靠性的重要手段。但ECC也有一定的纠错范围，如果读出数据的原始误码率较不超过ECC纠错范围时，通过ECC纠错可以得到正确的数据，而如果读出数据的原始误码率较高，将会超出差错控制编码的纠错能力，无法正确的恢复出写入的数据。

数据保持错误是NAND Flash数据错误中最主要的成分，对NAND Flash可靠性影响最大，数据存储后最终能够被正确读出时所对应的最长存储时间成为数据保持(dataretention)时间，如何延长data retention时间，是本领域重要的研究方向。

重编程技术是指当存储数据产生数据保持错误，并且错误个数不超过ECC纠错范围时，通过ECC纠错得到正确的数据，将正确的数据重写到原来的page，重写的过程也可以称为重编程。在重编程过程中，由于电子流失而使阈值电压小于参考电压Vref的存储单元，会被增量步进脉冲编程(Incremental step pulse programming，ISPP)充入电子，使其阈值电压重新大于参考电压Vref，从而降低数据保持错误。

然而目前重编程针对的存储单元以及重编程后的阈值电压均根据参考电压确定，不能满足实际需求。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种存储器的纠错方法及装置，能够合理确定需要进行重编程的存储单元，满足实际需求。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

一种存储器的纠错方法，包括：

为目标阈值电压分布态确定对应重编程电压区间；所述重编程电压区间由起始电压和终止电压界定，所述起始电压小于所述目标阈值电压分布态的读取电压，所述终止电压根据所述目标阈值电压分布态的数据保持时间需求确定；