[发明专利]三维集成电路模块及制作方法在审
| 申请号： | 202110455072.5 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113192915A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 胡胜;周俊;孙鹏;占琼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/50;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维集成电路模块及制作方法。所述三维集成电路模块中，在半导体结构位于顶部的基片中形成有连接内部的指定金属层的导通孔，而且还形成有避开所述导通孔排布的沟槽，所述第一钝化层悬空覆盖所述沟槽，所述第一钝化层和所述沟槽围成热导流通道。所述热导流通道可以作为散热介质通道，在所述三维集成电路模块工作中促进散热，所述三维集成电路模块的散热能力较高，避免出现发热量过大或者散热不均匀的问题，有助于优化三维集成电路模块的性能和稳定性。所述制作方法可用于制作上述三维集成电路模块。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 模块 制作方法 | ||
【主权项】：
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