[发明专利]一种PVT法单晶扩径生长装置及生长方法有效
| 申请号： | 202110453669.6 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113174633B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 姜俊婕 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种PVT法单晶扩径生长装置及生长方法，它属于晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为制备更大尺寸的单晶。本发明坩埚下盖上安装有坩埚本体，坩埚本体内放置有多孔石墨筒，第一个圆台结构通过固定结构固定在坩埚下盖的中心位置，第一个圆台结构上放置第一个晶棒，第一个晶棒上倒置第二个圆台结构，第二个圆台结构通过固定结构对心连接第三个圆台结构，第三个圆台结构上放置第二个晶棒，第二个晶棒上倒置第四个圆台结构，圆台结构和晶棒相间布置，坩埚本体上部安装有坩埚上盖，坩埚上盖与其相邻的圆台结构通过固定结构固定连接。本发明将晶棒侧面作为晶体生长面，实现了晶体侧面生长，实现了晶体直径快速扩大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 法单晶扩径 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司，未经哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110453669.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二氟丙二酸酯类化合物的制备方法
- 下一篇：一种防白蚁蝶形光缆及其制造方法
