[发明专利]柔性类CMOS反相器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110448428.2 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113193001A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 江潮;彭朝晗;蔡小勇 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 蒋娟 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性类CMOS反相器及其制备方法，该方法包括：提供柔性基底；在所述柔性基底上形成保护层；在所述保护层上制备栅电极；在所述保护层和所述栅电极上沉积介电层；在所述介电层上形成第一沟道层，所述第一沟道层的材料为无机材料；在所述第一沟道层上制备源电极和漏电极；在所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极上形成第二沟道层，所述第二沟道层的材料为有机材料；其中，所述栅电极、所述介电层、所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极通过光刻进行图案化。本发明在柔性基底上结合有机与无机材料来制备柔性类CMOS反相器。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 cmos 反相器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
