[发明专利]柔性类CMOS反相器及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性类CMOS反相器的制备方法，其特征在于，包括：

提供柔性基底；

在所述柔性基底上形成保护层；

在所述保护层上制备栅电极；

在所述保护层和所述栅电极上沉积介电层；

在所述介电层上形成第一沟道层，所述第一沟道层的材料为无机材料；

在所述第一沟道层上制备源电极和漏电极；

在所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极上形成第二沟道层，所述第二沟道层的材料为有机材料；

其中，所述栅电极、所述介电层、所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极通过光刻进行图案化。

2.根据权利要求1所述的柔性类CMOS反相器的制备方法，其特征在于，提供柔性基底，包括：

提供玻璃基底；

在所述玻璃基底上依次旋涂聚二甲基硅氧烷和聚酰亚胺生成所述柔性基底。

3.根据权利要求1所述的柔性类CMOS反相器的制备方法，其特征在于，在所述柔性基底上形成保护层，包括：

在所述柔性基底上通过原子层沉积的方式沉积Al₂O₃形成所述保护层。

4.根据权利要求1所述的柔性类CMOS反相器的制备方法，其特征在于，在所述保护层上制备栅电极，包括：

在所述保护层上通过电子束蒸镀制备所述栅电极。

5.根据权利要求1所述的柔性类CMOS反相器的制备方法，其特征在于，在所述保护层和所述栅电极上沉积介电层，包括：

在所述保护层和所述栅电极上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积SiO₂形成所述保护层。

6.根据权利要求1所述的柔性类CMOS反相器的制备方法，其特征在于，在所述介电层上形成第一沟道层，包括：

在所述介电层上通过磁控溅射形成所述第一沟道层，所述第一沟道层为a-IGZO沟道层。

7.根据权利要求1所述的柔性类CMOS反相器的制备方法，其特征在于，在所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极上形成第二沟道层，包括：

在所述第一沟道层、所述源电极和所述漏电极上通过热蒸镀C8-BTBT形成所述第二沟道层。

8.一种柔性类CMOS反相器，其特征在于，通过权利要求1-7任一项所述的柔性类CMOS反相器的制备方法制备而成。