[发明专利]超级结器件零层标记制作方法和零层标记结构有效
| 申请号： | 202110447809.9 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113257672B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 赵蕴琦;谷云鹏;马栋;陈正嵘;李晴;倪运春;王岩;谭建兵 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件零层标记制作方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底表面形成超级结结构；从超级结结构上表面，沿垂直衬底上表面方向，向下形成标记槽，标记槽贯穿超级结结构，并深入至衬底内部；在标记槽内形成填充材料层，形成零层标记，该零层标记的深宽比小于0.5。本发明能提升硬掩模版膜层填充能力，使得零层套刻标记/对位标记处PEOX膜层没有空洞，在外延填充后没有发生损坏。既能避免台阶覆盖性较差的硬掩模版造成零层标记损坏，又能避免深沟槽式硬掩模版淀积造成零层标记损坏，能保障对准作业，提高超级结产品对位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 标记 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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