[发明专利]超级结器件零层标记制作方法和零层标记结构

说明书

本发明公开了一种超级结器件零层标记制作方法，包括以下步骤：提供衬底；在衬底表面形成超级结结构；从超级结结构上表面，沿垂直衬底上表面方向，向下形成标记槽，标记槽贯穿超级结结构，并深入至衬底内部；在标记槽内形成填充材料层，形成零层标记，该零层标记的深宽比小于0.5。本发明能提升硬掩模版膜层填充能力，使得零层套刻标记/对位标记处PEOX膜层没有空洞，在外延填充后没有发生损坏。既能避免台阶覆盖性较差的硬掩模版造成零层标记损坏，又能避免深沟槽式硬掩模版淀积造成零层标记损坏，能保障对准作业，提高超级结产品对位精度。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种超级结器件零层标记制作方法。本发明还涉及一种超级结器件零层标记结构。

背景技术

基于超级结技术(super-junction)的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更少的栅极和和输出电荷，这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。

在SJ(super-junction)工艺中，当使用台阶覆盖性较差的硬掩模版(如PECVD生长的PEOX)，且零层标记深宽比大于某阈值时，零层套刻标记/对位标记在外延填充后发生损坏，容易导致套刻标记量测失败或Wafer reject，无法作业。

深沟槽式硬掩模版淀积后(硬掩模版结构：PEOX+SiN+SiO2)，PEOX膜层形成空洞，在深沟槽刻蚀之后，零层套刻标记/对位标记的硬掩模版被刻开。外延填充时，外延沿着Si生长，标记四周损坏，也会造成标记量测失败，导致无法作业。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种用于超级结器件能避免台阶覆盖性较差的硬掩模版和/或深沟槽式硬掩模版淀积造成零层标记损坏的超级结器件零层标记制作方法。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种用于超级结器件能避免台阶覆盖性较差的硬掩模版和/或深沟槽式硬掩模版淀积造成零层标记损坏的超级结器件零层标记结构。

为解决上述技术问题，本发明提供的超级结器件零层标记制作方法，包括以下步骤：

S1)提供衬底；

S2)在衬底表面形成超级结结构；

S3)从超级结结构上表面，沿垂直衬底上表面方向，向下形成标记槽，标记槽贯穿超级结结构，并深入至衬底内部；

S4)在标记槽内形成填充材料层，形成零层标记，该零层标记的深宽比小于0.5。经过实验发现，缩小零层标记的深宽比，能降低零层标记的损坏几率。

可选择的，进一步改进超级结器件零层标记制作方法，该零层标记的深宽比范围为大于0.1且小于0.5。经过实验发现，缩小零层标记的深宽比，能降低零层标记的损坏几率，但是过小的零层标记不利于对准作业。

可选择的，进一步改进超级结器件零层标记制作方法该零层标记的深宽比范围大于0.15且小于0.25。经过实验发现，缩小零层标记的深宽比至0.15～-0.25在降低零层标记的损坏几率的同时能确保对对准作业无影响。

可选择的，进一步改进超级结器件零层标记制作方法，所述超级结器件的硬掩模版是气相沉积法(PECVD)生长的聚氧化乙烯(PEOX)。

可选择的，进一步改进超级结器件零层标记制作方法，所述零层标记是零层套刻标记和/或零层对位标记。